زرنيخيد الگاليوم أو أرسنيد الگاليوم أو Gallium arsenide (GaAs وتُنطق: "گاليوم أرسنايد") هو مركب من العنصرين گاليوم وزرنيخ. وهو شبه موصل III/V، and is used in the manufacture of devices such as microwave frequency integrated circuits, monolithic microwave integrated circuits, infrared light-emitting diodes, laser diodes, solar cells والنوافذ الضوئية.
| |
_2%22_wafer.jpg) GaAs wafer of (100) orientation
| |
| الأسماء | |
|---|---|
| اسم أيوپاك المفضل
Gallium arsenide | |
| Identifiers | |
| رقم CAS | |
3D model (JSmol)
|
|
| ChemSpider | |
| رقم EC |
|
| عناوين مواضيع طبية MeSH | |
PubChem CID
|
|
| رقم RTECS |
|
| UNII | |
| UN number | 1557 |
CompTox Dashboard (EPA)
|
|
| InChI | InChI={{{value}}} |
| SMILES | |
| الخصائص | |
| الصيغة الجزيئية | GaAs |
| كتلة مولية | 144.645 g/mol[1] |
| المظهر | Gray crystals[1] |
| الرائحة | garlic-like when moistened |
| الكثافة | 5.3176 g/cm3[1] |
| نقطة الانصهار | |
| قابلية الذوبان في الماء | insoluble |
| قابلية الذوبان | soluble in HCl insoluble in ethanol, methanol, acetone |
| الفجوة الحزمية | 1.441 eV (at 300 K)[2] |
| حركية الإلكترون | 9000 cm2/(V·s) (at 300 K)[2] |
| القابلية المغناطيسية | -16.2×10-6 cgs[4] |
| التوصيل الحراري | 0.56 W/(cm·K) (at 300 K)[3] |
| معامل الانكسار (nD) | 3.3[4] |
| البنية | |
| البنية البلورية | Zinc blende |
| الزمرة الفراغية | T2d-F-43m |
| ثابت العقد | a = 565.315 pm |
| هندسة إحداثية |
Tetrahedral |
| الشكل الجزيئي | Linear |
| المخاطر | |
| صفحة بيانات السلامة | External MSDS |
| ن.م.ع. مخطط تصويري | 
|
| ن.م.ع. كلمة الاشارة | DANGER |
| H350, H360F, H372 | |
| P261, P273, P301+P310, P311, P501 | |
| NFPA 704 (معيـَّن النار) | |
| مركبات ذا علاقة | |
أنيونات أخرى
|
Gallium nitride Gallium phosphide Gallium antimonide |
ما لم يُذكر غير ذلك، البيانات المعطاة للمواد في حالاتهم العيارية (عند 25 °س [77 °ف]، 100 kPa). | |
 verify (what is  ?)
| |
| مراجع الجدول | |
GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors including: InGaAs and GaInNAs.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
الاعداد والكيمياء
في المركب، يكون للگاليوم +3 حالات أكسدة. ويمكن اعداد بلورات مفردة من زرنيخيد الگاليوم بعمليتين صناعيتين:[5]
- Crystal growth using a horizontal zone furnace in the Bridgman-Stockbarger technique, in which gallium and arsenic vapors react, and free molecules deposit on a seed crystal at the cooler end of the furnace.
- Liquid encapsulated Czochralski (LEC) growth is used for producing high-purity single crystals that can exhibit semi-insulating characteristics (see below).
Alternative methods for producing films of GaAs include:[5][6]
- VPE reaction of gaseous gallium metal and arsenic trichloride:
- 2 Ga + 2 AsCl 3 → 2 GaAs + 3 Cl 2
- MOCVD reaction of trimethylgallium and arsine:
- Ga(CH 3) 3 + AsH 3 → GaAs + 3 CH 4
- Molecular beam epitaxy (MBE) of gallium and arsenic:
- 4 Ga + As 4 → 4 GaAs
or
- 2 Ga + As 2 → 2 GaAs
Oxidation of GaAs occurs in air and degrades performance of the semiconductor. The surface can be passivated by depositing a cubic gallium(II) sulfide layer using a tert-butyl gallium sulfide compound such as (t BuGaS) 7.[7]
مقارنة مع السليكون
مزايا أرسنيد الگاليوم
مزايا السليكون
استخدامات أخرى
الخلايا الشمسية والكواشف
Another important application of GaAs is for high efficiency solar cells. Gallium arsenide (GaAs) is also known as single-crystalline thin film and are high-cost high-efficiency solar cells.
In 1970, the first GaAs heterostructure solar cells were created by the team led by Zhores Alferov in the USSR.[8][9][10] In the early 1980s, the efficiency of the best GaAs solar cells surpassed that of silicon solar cells, and in the 1990s GaAs solar cells took over from silicon as the cell type most commonly used for Photovoltaic arrays for satellite applications. Later, dual- and triple-junction solar cells based on GaAs with germanium and indium gallium phosphide layers were developed as the basis of a triple-junction solar cell, which held a record efficiency of over 32% and can operate also with light as concentrated as 2,000 suns. This kind of solar cell powers the rovers Spirit and Opportunity, which are exploring Mars' surface. Also many solar cars utilize GaAs in solar arrays.
الأجهزة الباعثة للضوء
GaAs has been used to produce (near-infrared) laser diodes since 1962.[11]
انظر أيضاً
- زرنيخيد الألومنيوم
- Aluminium gallium arsenide
- Arsine
- تلوريد الكادميوم
- Gallium antimonide
- Gallium arsenide phosphide
- Gallium manganese arsenide
- فوسفيد الگاليوم
- نيتريد الگاليوم
- Heterostructure emitter bipolar transistor
- زرنيخيد الإنديوم
- Indium gallium arsenide
- فوسفيد الإنديوم
- Light-emitting diode
- Metal semiconductor field effect transistor
- MOVPE
- Multijunction
- Photomixing
- Trimethylgallium
الهامش
- ^ أ ب ت Haynes, p. 4.64
- ^ أ ب Haynes, p. 12.90
- ^ خطأ استشهاد: وسم
<ref>غير صحيح؛ لا نص تم توفيره للمراجع المسماةcrc2 - ^ أ ب Haynes, p. 12.86
- ^ أ ب Moss, S. J. and Ledwith, A. (1987). The Chemistry of the Semiconductor Industry. Springer. ISBN 0-216-92005-1.CS1 maint: multiple names: authors list (link)
- ^ Smart, Lesley and Moore, Elaine A. (2005). Solid State Chemistry: An Introduction. CRC Press. ISBN 0-7487-7516-1.CS1 maint: multiple names: authors list (link)
- ^ "Chemical vapor deposition from single organometallic precursors" A. R. Barron, M. B. Power, A. N. MacInnes, A. F.Hepp, P. P. Jenkins U.S. Patent 5٬300٬320 (1994)
- ^ Alferov, Zh. I., V. M. Andreev, M. B. Kagan, I. I. Protasov and V. G. Trofim, 1970, ‘‘Solar-energy converters based on p-n AlxGa1-xAs-GaAs heterojunctions,’’ Fiz. Tekh. Poluprovodn. 4, 2378 (Sov. Phys. Semicond. 4, 2047 (1971))
- ^ Nanotechnology in energy applications. im.isu.edu.tw. 16 November 2005 (in Chinese) p. 24
- ^ Nobel Lecture by Zhores Alferov at nobelprize.org, p. 6
- ^ Hall, Robert N. (1962). "Coherent Light Emission From GaAs Junctions". Physical Review Letters. 9 (9): 366–369. Bibcode:1962PhRvL...9..366H. doi:10.1103/PhysRevLett.9.366. Unknown parameter
|coauthors=ignored (|author=suggested) (help)