فوسفيد الإنديوم
فوسفيد الإنديوم Indium phosphide (InP) هو شبه موصل ثنائي مكون من الإنديوم والفسفور. لديه بنية بلورية مكعبة مركزية الوجه، مماثلة لزرنيخيد الگاليوم وتتكون معظمها من أشباه الموصلات الثلاثية-الخماسية.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
التصنيع
.jpg)
فوسفيد الإنديوم يمكن تحضيرة من تفاعل الفسفور الأبيض ويوديد الإنديوم[مطلوب توضيح] at 400 °C.,[5] وأيضاً بالجمع المباشر للعناصر المنقـّاة عند درجة حرارة وضغط عاليين، أو بالانحلال الحراري لخليط من مركب إنديوم ثلاثي الألكيل وفوسفين.[6]
الاستخدامات
يستخدم فوسفيد الإنديوم في في الإلكترونيات عالية الطاقة وعالية التردد[بحاجة لمصدر] بسبب سرعته الإنجرافية الفائقة فيما يتعلق بأشباه الموصلات الأكثر شيوعاً مثل السليكون وزرنيخيد الگاليوم.
كان يستخدم مع زرنيخيد الگاليوم الإنديوم لصنع ترانزستور متغاير ثنائي القطب يحطم الرقم القياسي والذي يمكن تشغيله على 604 گ.هـ.[7]
كما يمكن أن يكون به فجوة نطاق مباشرة، مما يجعله مفيداً للأجهزة الإلكترونية الضوئية مثل ديودات الليزر.
كذلك يستخدم فوسفيد الإنديوم كركيزة لزرنيخيد الگاليوم الإنديوم التقيلي الذي تعتمد عليه الأجهزة الإلكترونية الضوئية.
الكيمياء
يعتبر فوفسيد الإنديوم أيضاً واحداً من من الظواهر الضوئية الأطول عمراً عن أي مركب ذو zincblende crystal structure.[8]
الهامش
- ^ Lide, David R. (1998), Handbook of Chemistry and Physics (87 ed.), Boca Raton, FL: CRC Press, pp. 4–61, ISBN 0-8493-0594-2
- ^ Sheng Chao, Tien; Lee, Chung Len; Lei, Tan Fu (1993), "The refractive index of InP and its oxide measured by multiple-angle incident ellipsometry", Journal of Materials Science Letters 12 (10): 721, doi:.
- ^ "Basic Parameters of InP".
- ^ Lide, David R. (1998), Handbook of Chemistry and Physics (87 ed.), Boca Raton, FL: CRC Press, pp. 5–20, ISBN 0-8493-0594-2
- ^ Indium Phosphide at HSDB
- ^ InP manufacture
- ^ Indium Phosphide and Indium Gallium Arsenide Help Break 600 Gigahertz Speed Barrier. April 2005
- ^ Bouarissa, Nadir (July 2011). "Phonons and related crystal properties in indium phosphide under pressure". Physica B: Condensed Matter. 406 (13): 2583–2587. doi:10.1016/j.physb.2011.03.073. Retrieved 22 March 2013.
